TSMC szykuje się do największego skoku technologicznego od lat
2 czerwca 2021, 13:16Tajwański gigant TSMC, podczas Technology Symposium, zdradził nieco szczegółów na temat technologii 3- i 2-nanometrowych. Układy w technologii 3 nanometrów mają zjeżdżać z fabrycznych taśm w drugiej połowie przyszłego. roku. N3 będzie wykonany w technologii FinFET, a układy te mają być o 10-15 procent bardziej wydajne niż N5 przy tym samym poborze mocy.
Zatrzymać sól: nadzieja na czystą wodę
9 kwietnia 2010, 20:06Czysta woda pod dostatkiem to marzenie wielu ludzi na świecie. Inżynierowie z UCLA opracowali nową metodę odsalania morskiej wody. Ich tania w produkcji, niezatykająca się membrana z polimerową szczoteczką może okazać się rewolucją. I ratunkiem dla obszarów dotkniętych suszą.
Intel ogłasza budowę megakampusu i 2 supernowoczesnych fabryk za ponad 20 miliardów USD
21 stycznia 2022, 15:08Intel potwierdził, że kosztem ponad 20 miliardów dolarów wybuduje nowy kampus w stanie Ohio. W skład kampusu wejdą dwie supernowoczesne fabryki półprzewodników, gotowe do produkcji w technologii 18A. To przyszły, zapowiadany na rok 2025 proces technologiczny Intela, w ramach którego będą powstawały procesory w technologii 1,8 nm. Budowa kampusu rozpocznie się jeszcze w bieżącym roku, a produkcja ma ruszyć w 2025 roku.
SN nie zakazał patentowania oprogramowania
30 czerwca 2010, 12:47Amerykański Sąd Najwyższy podtrzymał decyzję sądu niższej instancji w sprawie Bilski, Warsaw vs. Urząd Patentowy. Sąd jednogłośnie stwierdził, że USPTO miał rację odrzucając wniosek patentowy na program do oceny ryzyka na rynku handlu energią.
Patent naukowców ze Świerku pozwoli na zoptymalizowanie produkcji medycznego molibdenu-99
7 grudnia 2022, 18:17Reaktor Maria z Narodowego Centrum Badań Jądrowych (NCBJ) w Świerku to jeden z głównych dostawców medycznego molibdenu-99. Zaspokaja 10% światowego zapotrzebowania. Pierwiastek ten jest stosowany w 80% zabiegów diagnostycznych z użyciem radiofarmaceutyków i w radioterapii. Maria kilkukrotnie w ciągu roku napromieniowuje tarcze uranowe niezbędne w produkcji Mo-99
10 nanometrów w zanurzeniu
13 września 2012, 09:44Intel poinformował, że jest w stanie wykorzystać litografię zanurzeniową do produkcji układów scalonych w 10-nanometrowym procesie technologicznym. Wykorzystujące go układy zadebiutują nie wcześniej niż w 2015 roku.
Ekogroszek niskokaloryczny czy wysokokaloryczny? Który wybrać?
18 listopada 2023, 10:19Ekogroszek to jeden z lepszych materiałów opałowych wykorzystywanych w kotłach na paliwa stałe. Efektywnie się spala, uwalniając jednocześnie duże ilości energii termicznej. Dzięki temu znacząco ogranicza ilość popiołu oraz emitowanych do atmosfery szkodliwych substancji. Kupując materiał opałowy, należy jednak pamiętać o wcześniejszym sprawdzeniu jego parametrów technicznych – w szczególności dotyczy to kaloryczności
Dwa miliardy na 450 milimetrów
25 stycznia 2013, 13:34Intel ma zamiar wydać w bieżącym roku 2 miliardy dolarów na fabrykę wykorzystującą 450-milimetrowe plastry krzemowe. Wydatki inwestycyjne na naszą zasadniczą działalność będą generalnie takie jak w 2012 roku. Dodatkowo wydamy 2 miliardy USD na rozpoczęcie budowy naszej pierwszej fabryki dla 450-milimetrowych plastrów - oświadczyła prezes firmy ds. finansowych Stacy Smith
Superszybka pamięć IBM-a
15 lutego 2007, 14:30Podczas International Solid State Circuits Conference (ISSCC) IBM pokazał najszybszą w historii kość pamięci. Dzięki zastosowaniu nowej technologii układ eDRAM (Embedded Dynamic Random Access Memory) Błękitnego Giganta charakteryzuje się nie tylko najkrótszym czasem dostępu do danych, ale również ponadtrzykrotnie większą pojemnością niż analogiczne produkty konkurencji.
Redukcja metanu i sadzy pomoże mniej niż sądzono?
14 sierpnia 2013, 06:15Głównym gazem cieplarnianym jest dwutlenek węgla. Jednak ludzie emitują do atmosfery również inne zanieczyszczenia, przyczyniające się do ocieplania klimatu. Zanieczyszczenia te, takie jak np. metan czy sadza, są znacznie silniejszymi czynnikami cieplarnianymi niż CO2, ale utrzymują się w atmosferze krócej
